삼성전자 종합기술원이 차세대 디스플레이, 반도체 등에 광범위하게 적용 가능한 ‘비정질 산화물 박막 트랜지스터(Amorphous Oxide Thin Film Transistor)’ 신기술을 개발하는 데 성공했다.

삼성전자는 15일 샌프란시스코에서 열린 세계 3대 반도체 학술 모임인 ‘2008 세계전자소자학회(IEDM)’에서 기존 산화물 박막 트랜지스터의 단일 채널 구조를 이중 채널 구조로 변경해 기존보다 3배 이상 향상된 세계 최고 수준의 전자 이동도(∼130㎠/V.sec)를 확보함과 동시에 문턱전압(Threshold Voltage·박막 트랜지스터를 동작시키는 전압)을 제어할 수 있는 신기술을 개발했다고 발표했다.

삼성전자는 이동도가 큰 산화물과 필요한 문턱전압을 갖는 산화물을 접합해 이중채널 구조를 구현했다고 설명했다.

이 기술은 현재 사용하는 LCD 디스플레이 소자뿐 아니라 AM-OLED(능동형 유기발광다이오드), ‘전자종이’로도 불리는 플렉시블 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이, 태양전지, LED(발광다이오드), 센서 등에도 적용이 가능하다. 또 투명한 특징이 있어 고글, 건물의 유리창, 자동차 유리 등 투명 디스플레이에도 적용할 수 있다.

특히 이 기술은 반도체 분야에도 적용할 수 있어 전자산업 전반에 걸쳐 파급 효과가 클 것으로 기대된다.

이 기술은 또 제조 공정이 현재 LCD 디스플레이 양산 공정과 동일해 신규 투자비를 최소화할 수 있으며, 주변회로를 패널 내부에 내장할 수 있어 제품 단가를 크게 낮출 수 있는 장점도 있다고 삼성전자는 강조했다.

삼성전자 김영환 전무는 “이 기술을 중장기적으로 플렉시블 또는 투명 디스플레이에 적용할 뿐 아니라, 이동도 때문에 제약됐던 반도체 주변회로까지 응용을 확대해 반도체 소자의 핵심 기술로 발전시킬 계획”이라고 말했다.

<김덕중 기자> djkim@koreatimes.com