<달라스> 텍사스 인스트루먼트(TI)가 차세대 반도체인 300밀리 웨이퍼(Wafer) 생산공장으로 북 텍사스 리처드슨을 선정함으로써 공장이 가동되면 1,000여명의 직업을 창출하게 된다고 TI 반도체 그룹 SMTS 박용인매니저가 최근 밝혔다.
2005년말 착공할 것으로 예정된 300밀리 웨이퍼는 반도체 집적회로(IC)의 원재료로 사용되는 실리콘의 단결정으로 된 원판모양의 기판이다. 이 기판에 빛을 쬐거나 불순물에 가스를 확산시키는 가공법으로 트랜지스터, 저항, 콘덴서 등의 회로를 구성한다.
이번에 건설되는 웨이퍼는 직경이 12인치로 착공후 수년내 30억달러를 투자해야 하는 거대한 사업이다. TI본사에서 수마일 떨어진 곳에 들어서는 이 새로운 웨이퍼 제조시설(팹-fab)은 관련 허가와 지원 및 시장요구를 고려하여 2005년말 전에 시작될것으로 예상된다.
이 시설이 완공되면 세계에서 가장 진보된 반도체 제조시설 중 하나가 될 것이며, 무선, 광대역, 디지털 가전 등에 사용되는 다양한 종류의 디지털 신호 처리기(DSP), 시스템 온 칩 (SoC) 제품을 생산하게 될 예정이다.
TI는 자사의 최초 300밀리미터 시설인 DMOS6과 마찬가지로 시장요구에 앞서 빌딩과 인프라를 먼저 건설하고 시장 여건에 맞춰 장비설치를 할 계획이다.
이와관련 TI의 톰 엔지버스 회장은 “TI는 자본에서 매년 10억달러 정도를 쓰고 있으며 이중 상당부분이 이번 텍사스주 설비에 투자될 것”이라고 밝혔다.